某DRAM芯片，其存储容量为512Kx8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（）

A.３１;

B.４１;

C.５６;

D.３２;

A.该存储器共有 256 个存储单元

B.该存储器共有 16 个存储单元

C.该存储器存储单元的位数，即字长为 4 位

D.该存储器的存储容量为 2的4次 *8 字节

A.1K×4位

B.2K×8位

C.4K×4位

D.4K×8位

A.2片

B.4片

C.8片

D.16片

A.16片

B.8片

C.4片

D.2片

A.10

B.11

C.12

D.13

A.地址线为16根，数据线为32根

B.地址线为32根，数据线为16根

C.地址线为15根，数据线为16根

D.地址线为16根，数据线为15根

A.EDO DRAM

B.DRAM

C.RD RAM

D.DDR SDRAM

A.16ms*2048;

B.16ms/2048;

C.0.5us*2048;

D.0.5us/2048;

A.0;

B.1;

C.2;

D.3;