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[单选题]

PN结中空间电荷区两端的电压称为()

A.正向电压

B.门坎电压

C.反向电压

D.偏置电压

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第1题

PN结中空间电荷区两端的电压称为()

A.正向电压

B.门槛电压

C.反向电压

D.偏置电压

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第2题

若给PN结两端加正向电压时,空间电荷区将()

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.无法确定

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第3题

光生伏特效应,当p型半导体和n型半导体结合在一起,形成p一n结时,由于多数载流子的扩散,形成了空间电荷区,并形成一个不断增强的从n型半导体指向p型半导体的内建电场,导致多数载流子反向漂移;达到平衡后,扩散产生的电流和漂移产生的电流相等。对如果光照在p-n结上,而且光能大于p-n结的禁带宽度,则在p-n结附近将产生电子一空穴对。由于内建电场的存在,产生的非平衡电子载流子将向空间电荷区两端漂移,产生光生电势(电压),破坏了原来的平衡。如果将p一n结和外电路相连,则电路中出现电流,称为光生伏特现象或光生伏特效应。()
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第4题

若给PN结两端加反向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.无法确定

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第5题

在平衡的PN结两端外加反偏电压,会()。

A.使空间电荷区变厚

B.抑制漂移,促进扩散

C.使反向饱和电流增大

D.使反向饱和电流减小

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第6题

若给PN结两端加反向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄

B、基本不变

C、变宽

D、无法确定

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第7题

当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是()

A.多数载流子

B.少数载流子

C.既有多数载流子又有少数载流子

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第8题

在平衡的PN结两端外加反偏电压,()。

A.空间电荷区会变厚

B.会抑制漂移,促进扩散

C.会产生反向饱和电流

D.会使PN结反向击穿

E.会使势垒变高

F.只要不被击穿,反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变

G.抑制扩散,促进漂移

H.耗尽层会变薄

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第9题

在平衡的PN结两端外加反偏电压,会()

A.使空间电荷区变厚

B.抑制漂移,促进扩散

C.使反向饱和电流增大

D.使反向饱和电流减小

E.使势垒变高

F.只要不被击穿,反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变G.抑制扩散,促进漂移

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第10题

2、在平衡的PN结两端外加反偏电压,会

A.使空间电荷区变厚

B.抑制漂移,促进扩散

C.使反向饱和电流增大

D.使反向饱和电流减小

E.使势垒变高

F.只要不被击穿,反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变

G.抑制扩散,促进漂移

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