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[判断题]

杂质半导体的多数载流子数量取决于掺杂浓度()

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第1题

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()

A.温度

B.杂质浓度

C.电子空穴对数目

D.都不是

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第2题

掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于(),它与()几乎没有关系;而少数载流子的浓度则主要与()有关,因而它的大小与()有关

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第3题

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
A、温度

B、杂质浓度

D、电子空穴对数目

D、都不是

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第4题

N型半导体中的多数载流子是()

A.杂质

B.离子

C.空穴

D.自由电子

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第5题

N型半导体中多数载流子为电子,少数载流子为空穴()
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第6题

本征半导体的载流子的浓度与()

A.温度有关

B.掺杂浓度有关

C.掺杂材质有关

D.外加电压大小有关

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第7题

P型半导体中,电子为多数载流子()
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第8题

N型半导体中,多数载流子是()

A.空穴

B.自由电子

C.原子核D

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第9题

对NPN三极管来说,外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差()
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第10题

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电()
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