单向可控硅可靠导通后，降低控制极电流，可控硅将（）

A.导通条件：可控硅阳极加正向电压，且门极有足够的正向电压和电流关断条件：可控硅门极加反向电压

B.导通条件：可控硅阳极加正向电压，或门极有足够的正向电压和电流关断条件：可控硅门极加反向电压（即门极电位低于阴极）

C.导通条件：可控硅阳极加正向电压，且门极有足够的正向电压和电流关断条件：可控硅阳极电流小于维持电流

D.导通条件：可控硅阳极加正向电压（即阳极电位高于阴极电位），且门极有足够的正向电压和电流。关断条件：可控硅阳极加反向电压（即阳极电位低于阴极电位）

A.可控硅导通必须在阳极和阴极之间加正向电压

B.可控硅导通必须在控制极加正向电压

C.可控硅一旦导通，控制极即失去对它的控制作用

D.可控硅导通后，控制极仍可它进行控制

A.可控硅导通必须在阳极和阴极之间加正向电压

B.可控硅导通必须在控制极加正向电压

C.可控硅一旦导通，控制极即失去对它的控制作用

D.可控硅导通后，控制极仍可它进行控制

A.截止

B.导通截止

C.截止

D.导通

A.延迟关断可控硅

B.提前关断可控硅

C.减少可控硅导通角

D.增大可控硅导通角

A.阳极与阴极间加正向电压

B.门极与阴极间加正向电压

C.阳极与阴极间加反向电压

D.门极与阴极间加反向电压